Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ "НЕ" НА КВАНТОВЫХ ЭФФЕКТАХ

Номер публикации патента: 2272353

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2004134516/09 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H03K019/20   H01L027/118    
Аналоги изобретения: ШУР М. Современные приборы на основе арсенида галлия. - М.: Мир, 1991, с.476, рис.9.6.11. RU 2166837 С1, 10.05.2001. RU 2062528 C1, 20.06.1996. RU 2115998 C1, 20.07.1998. JP 10027853, 27.01.1998. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Таганрогский государственный радиотехнический университет" (ТРТУ) (RU) 
Изобретатели: Коноплев Борис Георгиевич (RU)
Рындин Евгений Адальбертович (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Таганрогский государственный радиотехнический университет" (ТРТУ) (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным логическим элементам СБИС. Техническим результатом является сокращение занимаемой площади кристалла, повышение быстродействия и снижение энергии переключения. Устройство содержит полуизолирующую GaAs-подложку, входную металлическую шину, расположенную под ней и образующую с ней переход Шоттки первую AlGaAs-область второго типа проводимости, расположенную под ней первую AlGaAs-област


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"