

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

РЕГУЛИРОВАНИЕ ДАВЛЕНИЯ НАД ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНОЙ С ЦЕЛЬЮ ЛОКАЛИЗАЦИИ ПЛАЗМЫ

Номер публикации патента: 2270492

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2003109437/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	7
Основные коды МПК:	H01J037/32 H01L021/3065
Аналоги изобретения:	US 5534751 A1, 09.07.1996. US 6019060 A1, 01.02.2000. US 6026762 A1, 22.02.2000. W0 9957756 A1, 11.11.1999. SU 1702825 A1, 28.02.1994. RU 2131631 C1, 10.06.1999.

Имя заявителя:	ЛЭМ РЕСЕЧ КОРПОРЕЙШН (US)
Изобретатели:	ТАЕДЖУН Хан (US) БЕНЗИНГ Дэвид В. (US) ЭЛЛИНГБОУ Альберт Р. (IE)
Патентообладатели:	ЛЭМ РЕСЕЧ КОРПОРЕЙШН (US)

Реферат

Изобретение относится к технологическому оборудованию для изготовления полупроводниковых приборов. Камера плазменной обработки (200), обеспечивающая усовершенствование методики регулирования давления над полупроводниковой пластиной (206) представляет собой вакуумную камеру (212, 214, 216), соединенную с устройством для возбуждения и удержания плазмы.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"