Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОДЛОЖКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Номер публикации патента: 2267565

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2003135856/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B019/12   C30B025/18   C30B029/10   C30B029/42   C30B015/00    
Аналоги изобретения: RU 2209260 С2, 27.07.2003. WO 9747049 A1, 11.12.1997. US 3993511 А, 23.11.1976. 

Имя заявителя: Институт радиотехники и электроники РАН (RU) 
Изобретатели: Айтхожин Сабир Абенович (RU) 
Патентообладатели: Институт радиотехники и электроники РАН (RU) 

Реферат


Изобретение относится к получению монокристаллических материалов и пленок и может использоваться в технологии полупроводниковых материалов для изготовления солнечных элементов, интегральных схем, твердотельных СВЧ-приборов. В качестве материалов подложек для выращивания пленок GaAs ориентации (100) используются монокристаллы интерметаллических соединений, выполненные из одного из бинарных сплавов: NiAl, CoAl, AlTi, NiGa.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"