Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ УРОВНЯ РАСПЛАВА И ДИАМЕТРА КРИСТАЛЛА В РОСТОВОЙ УСТАНОВКЕ

Номер публикации патента: 2263165

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2004108511/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/26    
Аналоги изобретения: US 6226032 В1, 01.05.2001. RU 2176689 С2, 10.12.2001. US 5665159 А, 09.09.1997. US 5961716 A, 05.10.1999. 

Имя заявителя: Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской Академии наук (ИАиЭ СО РАН) (RU) 
Изобретатели: Михляев С.В. (RU) 
Патентообладатели: Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской Академии наук (ИАиЭ СО РАН) (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в ростовых установках для измерения диаметра кристалла и уровня расплава как в центре тигля, так и в зоне кристаллообразования. Способ измерения уровня расплава и диаметра кристалла в ростовой установке, в котором с помощью датчика уровня измеряют уровень расплава в тигле на выбранном расстоянии от его оси вращения, с помощью оптической системы измерения диаметра кристалла, установленной под углом к оси кристалла, фо


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"