|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 2262774 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/331 | | Аналоги изобретения: | SU 1176774 A1, 10.06.2001. SU 1538830 A1, 27.12.1996. RU 2110868 C1, 10.05.1998. RU 2099814 С1, 20.12.1997. US 4886569 А, 30.08.1989. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН" (RU) | | Изобретатели: | Горнев Е.С. (RU)
Лукасевич М.И. (RU)
Щербаков Н.А. (RU)
Манжа Н.М. (RU)
Морозов В.Ф. (RU)
Игнатов П.В. (RU) | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН" (RU) |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах, изготовленных с использованием методов самосовмещенной технологии. Сущность изобретения: в способе изготовления биполярного транзистора, включающем нанесение на подложку кремния первого слоя окисла кремния и первого слоя поликристаллического кремния, легирование первого слоя поликристаллического кремния примесью базы, осаждение слоя нитрида кремния, вскрытие окон в слоях нитрида кремния, поликри
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента