

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СЛОЕВ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

Номер публикации патента: 2261937

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2002107048/02

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	7
Основные коды МПК:	C23C016/44 C23C016/24 H01L021/205 H01L021/324 H01L021/365
Аналоги изобретения:	US 3900597 А, 19.08.1975. US 5470780 A, 28.11.1995. RU 2084987 C1, 20.07.1997. US 6165875 А, 26.12.2000.

Имя заявителя:	Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН" (АООТ "НИИМЭ и завод "МИКРОН") (RU)
Изобретатели:	Манжа Н.М. (RU) Долгов А.Н. (RU) Кравченко Д.Г. (RU) Клычников М.И. (RU)
Патентообладатели:	Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН" (АООТ "НИИМЭ и завод "МИКРОН") (RU)

Реферат

Областью применения изобретения является микроэлектроника, а именно технология изготовления интегральных схем. Предложенный способ включает загрузку полупроводниковых пластин в реактор с горячими стенками перпендикулярно газовому потоку, откачку реактора до предельного вакуума, напуск моносилана для осаждения слоев поликристаллического кремния, прекращение подачи моносилана, откачку реактора до предельного вакуума, напуск в реактор инертного газа до атмосферного давления, выгрузку полупроводников

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"