|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЙ СТРУКТУРЫ И СВЕТОИЗЛУЧАЮЩАЯ СТРУКТУРА |  |
Номер публикации патента: 2257640 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/20 H01S005/343 | | Аналоги изобретения: | RU 2205468 C1, 27.05.2003. RU 2176841 C1, 12.10.2001. RU 2147152 C1, 27.03.2000. US 6033972 A1, 07.03.2000. US 5963571 A1, 05.10.1999. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU) | | Изобретатели: | Устинов В.М. (RU)
Егоров А.Ю. (RU)
Мамутин В.В. (RU) | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU) |
Реферат | |
Способ изготовления светоизлучающей структуры и светоизлучающая структура относятся к оптоэлектронике и могут найти применение для изготовления конструкций светоизлучающих квантоворазмерных гетероструктур, в частности лазеров, работающих в инфракрасном диапазоне длин волн. Сущность: способ включает последовательное выращивание на подложке GaAs молекулярно-пучковой эпитаксией буферного слоя GaAs; нижнего эмиттерного слоя на основе соединения AlGaAs; нижней части волноводного слоя GaAs; активной об
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента