Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЕЛЕНИДА ЦИНКА

Номер публикации патента: 2253705

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2004100683/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B028/14   C30B025/02   C30B029/48    
Аналоги изобретения: RU 2046843 C1, 27.10.1995. JP 57111211 А, 10.07.1982. JP 56141829 А, 05.11.1981. РЖ “Металлургия”, №6, 1989, реф. №6Г408. 

Имя заявителя: Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук (ИХВВ РАН) (RU) 
Изобретатели: Девятых Г.Г. (RU)
Гаврищук Е.М. (RU)
Мазавин С.М. (RU) 
Патентообладатели: Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук (ИХВВ РАН) (RU) 

Реферат


Изобретение относится к ИК-оптике и касается разработки способа получения массивных (толщиной более 20 мм) образцов селенида цинка, используемых в качестве пассивных оптических элементов высокомощных CO2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне длин волн. Способ включает подачу паров селеноводорода и цинка потоком аргона к нагретым до 650-750°С подложкам и осаждением на них селенида цинка при общем давлении в системе 0,5-1,3 кПа, эквимолярных расходах цинка и селеноводорода 0,4-0


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"