|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО |  |
Номер публикации патента: 2249262 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G11C016/04 G11C011/40 | | Аналоги изобретения: | US 5021999 A, 04.06.1991. RU 94036010 A1, 10.09.1996. WO 97/04490 A1, 06.02.1997. SU 1135354 A1, 27.05.1997. |
| Имя заявителя: | ХИТАЧИ, ЛТД. (JP),ХИТАЧИ ДИВАЙС ЭНЖИНИРИНГ КО., ЛТД. (JP) | | Изобретатели: | САНО Тошиаки (JP)
ИШИИ Томоюки (JP)
ЯНО Кацуо (JP)
МИНЕ Тошиюки (JP) | | Патентообладатели: | ХИТАЧИ
ЛТД. (JP)
ХИТАЧИ ДИВАЙС ЭНЖИНИРИНГ КО.
ЛТД. (JP) |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и полупроводниковому элементу памяти. Техническим результатом является защищенность полупроводникового запоминающего устройства от сбоев в работе, связанных с явлениями случайного вероятностного характера. Устройство содержит большое количество элементов памяти, каждый из которых содержит области истока и стока, изолирующую пленку, канальную область, электрод затвора, область для хранения электрических зарядов, устройство также с
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента