|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СХЕМНЫЕ СТРУКТУРЫ |  |
Номер публикации патента: 2248538 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01K007/16 | | Аналоги изобретения: | US 5777543, 07.07.1998. US 5363084 A, 08.11.1994. JP 56120102 А, 21.09.1981. RU 2069324 С1, 20.11.1996. |
| Имя заявителя: | ХИТРОНИКС (US) | | Изобретатели: | ПАРСОНЗ Джеймс Д. (US) | | Патентообладатели: | ХИТРОНИКС (US) |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к термочувствительным схемам и структурам, где в качестве термочувствительного устройства используют SiC, AlN и/или AlxGa1-xN (x>0,69). Сущность изобретения: один из представленных вариантов схемной структуры содержит керамический кристалл, электропроводящий монтажный слой на указанном кристалле и схемное устройство, содержащее SiC, AlN и/или AlxGa1-xN (x>0,69), на указанном монтажном слое, причем указанный монтажный слой обеспечивает монтаж и сцепление
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента