|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ ИЗ РАСПЛАВА |  |
Номер публикации патента: 2241078 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/00 C30B029/06 C30B015/20 | | Аналоги изобретения: | RU 2200775 С2, 20.03.2003. ЕР 0229322 А2, 22.07.1987. DE 2821481 А1, 22.11.1979. EP 0308308 А1, 22.03.1989. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "Луч" (RU) | | Изобретатели: | Алексеев С.В. (RU)
Макеев Х.И. (RU)
Макеев М.Х. (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "Луч" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, получаемого методом Чохральского. Способ выращивания монокристалла кремния диаметром d из расплава включает формирование при остаточном давлении в камере 50-150 мм рт.ст. газового потока над расплавом, находящимся в тигле, в присутствии газонаправляющего цилиндрического экрана диаметром ц=[(d2 +D2)/2]1/2, где D - диаметр тигля, установленного соосно выращиваемому монокристаллу.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента