|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ II - VI И ПОЛУПРОВОДНИКИ, ПОДВЕРГШИЕСЯ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕ С ПОМОЩЬЮ ЭТОГО СПОСОБА |  |
Номер публикации патента: 2238603 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/477 H01L033/00 C30B031/10 | | Аналоги изобретения: | US 5933751 А, 03.08.1999. RU 2170291 С1, 10.07.2001. US 6132506 А, 17.10.2000. JP 91653000 А, 24.06.1997. |
| Имя заявителя: | СУМИТОМО ЭЛЕКТРИК ИНДАСТРИЗ, ЛТД. (JP) | | Изобретатели: | НАМИКАВА Ясуо (JP) | | Патентообладатели: | СУМИТОМО ЭЛЕКТРИК ИНДАСТРИЗ
ЛТД. (JP) |
Реферат | |
Использование: при изготовлении светоизлучающих устройств на основе селенида цинка. Сущность изобретения: способ термической обработки полупроводникового соединения ZnSe включает формирование пленки алюминия на поверхности, по меньшей мере, одного кристалла ZnSe, размещение, упомянутого по меньшей мере одного кристалла ZnSe в камере для термической обработки, имеющей внутреннюю поверхность, сформированную по меньшей мере из одного материала, выбранного из группы, состоящей из пиролитического нитр
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента