Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ С ПОЛИДОМЕННОЙ СТРУКТУРОЙ ДЛЯ УСТРОЙСТВ ТОЧНОГО ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ

Номер публикации патента: 2233354

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2003122259/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B033/02   C30B033/04   C30B033/00   H01L041/00   C30B029/30    
Аналоги изобретения: JP 52-041895 А, 31.03.1977. JP 55-019002 В, 23.05.1980. JP 53-064699 А, 09.06.1978. SU 502651 А, 15.02.1976. RU 2044337 С1, 20.09.1995. RU 2029417 С1, 20.02.1995. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт стали и сплавов" (Технологический университет) (RU) 
Изобретатели: Антипов В.В. (RU)
Блистанов А.А. (RU)
Малинкович М.Д. (RU)
Пархоменко Ю.Н. (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт стали и сплавов" (Технологический университет) (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области получения монокристаллов сегнетоэлектриков с сформированной доменной структурой и может быть использовано при создании и работе приборов точного позиционирования, в частности зондовых микроскопов, а также при юстировке оптических систем. Сущность изобретения: в способе получения пьезоэлектрических монокристаллов с полидоменной структурой для устройств точного позиционирования сначала формируют из сегнетоэлектрических монокристаллов, в которых возможно образование т


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"