|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИФТОРИДА КСЕНОНА, СПОСОБ ЕГО ОЧИСТКИ ОТ ВЗРЫВООПАСНЫХ ПРИМЕСЕЙ И ЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЕ |  |
Номер публикации патента: 2232711 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C01B023/00 A61L002/16 A61K033/22 A23L001/304 | | Аналоги изобретения: | GB 1056657 A, 25.01.1967. SU 1560468 A1, 30.04.1990. RU 2065488 C1, 20.08.1996. LEGASOV V.A. et al. Synthesis of xenon difluoride by high pressure pulsed discharge. 12-th Proc. Int. Conference Phenom. Ioniz. Gases. 1975, v.1, p.205. СИНЕЛЬНИКОВ С.М. и др. Синтез дифторида ксенона в тлеющем разряде. Известия АН СССР. Серия химическая. 1968, №12, с.2806-2807. HATANO K. Fluorine-18 labeling of methionine derivatives in the presents of xenon difluoride. Chem. Pharm. Bull. 1998, 48/8, p.1337-1338, abstract. |
| Имя заявителя: | Алейников Андрей Николаевич (RU) | | Изобретатели: | Алейников А.Н. (RU) | | Патентообладатели: | Алейников Андрей Николаевич (RU) |
Реферат | |
Изобретение касается получения дифторида ксенона, его очистки и использования. Дифторид ксенона получают из ксенона и фтора в тлеющем разряде переменного тока. Температура реакции –8000С, давление 10-40 мм рт. ст. Сила тока 30-50 мА. Продукт стабилизируют на стенках сосуда при –70-800С. Отношение диаметра сосуда к межэлектродному расстоянию 1:2, напряжение между электродами 2,5 кВ.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента