|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2231861 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/205 | | Аналоги изобретения: | НИКУЛОВ В.В. и др. Изготовление кремниевых эпитаксиальных структур с резкими границами легирования. Электронная техника. Серия Электроника СВЧ. Вып.1 (373), 1985, с. 61-65.RU 2059326 С1, 27.04.1996.RU 4633 U1, 16.07.1997.US 4147584 А, 03.04.1979.JP 7211648 А, 11.08.1995. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (RU) | | Изобретатели: | Бажинов А.Н. (RU)
Рябов В.Н. (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (RU) |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: при наращивании сверхтонких слоев предварительный запуск смеси газа носителя и легирующей компоненты ведут в одну стадию, при концентрации легирующей компоненты в газовой смеси, в 15-30 раз превышающей заданную, наращивание сверхтонкого слоя ведут толщиной, равной 1-2 толщины области приповерхностной сегрегации легирующей компоненты, при этом концентрацию легирующей компоненты в газовой смеси при предварительном запуске смеси г
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента