|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР И ЛАЗЕРНАЯ ДИОДНАЯ ЛИНЕЙКА |  |
Номер публикации патента: 2230410 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01S005/042 H01S005/06 | | Аналоги изобретения: | US 5157680, 20.10.1992. RU 2035103, 10.05.1995. RU 1831213, 18.08.1988. JP 2002-057406, 22.02.2002. JP 63-224281, 19.09.1988. JP 01-170085, 05.07.1989. JP 62-183586, 11.08.1987. JP 2000-036640, 02.02.2000. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха (RU),Вагнер Наталия Алексеевна (RU),Давыдова Евгения Ивановна (RU),Кобякова Марина Шалвовна (RU),Морозюк Александр Михайлович (RU),Успенский Михаил Борисович (RU),Шишкин Виктор Александрович (RU) | | Изобретатели: | Вагнер Н.А. (RU)
Давыдова Е.И. (RU)
Кобякова М.Ш. (RU)
Морозюк А.М. (RU)
Успенский М.Б. (RU)
Шишкин В.А. (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха (RU)
Вагнер Наталия Алексеевна (RU)
Давыдова Евгения Ивановна (RU)
Кобякова Марина Шалвовна (RU)
Морозюк Александр Михайлович (RU)
Успенский Михаил Борисович (RU)
Шишкин Виктор Александрович (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к эффективным высокомощным полупроводниковым инжекционным лазерам и лазерным диодным линейкам. Предложенный лазер включает гетероструктуру с волноводными слоями, в одном из ограничительных слоев которой расположены рельефные структуры, по крайней мере часть мезаполоски и пассивные области с основаниями вблизи границы ограничительного слоя, ближайшей к активной области.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента