|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ГАЛЛИЙ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА СЛОЖНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, СПОСОБ ОЧИСТКИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ЭТОГО СПОСОБА |  |
Номер публикации патента: 2227182 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B029/02 C30B011/00 C22B058/00 | | Аналоги изобретения: | US 5458669 А, 17.10.1995. SU 1782247 A3, 15.12.1992. JP 2-50927 А, 20.02.1990. JP 63-242996 А, 07.10.1988. JP 62-270494 А, 24.11.1987. |
| Имя заявителя: | ДОВА МАЙНИНГ КО., ЛТД. (JP) | | Изобретатели: | ЯМАМУРА Такехару (JP)
КАТО Хидеказу (JP)
ОХГАМИ Такаси (JP)
ТАЯМА Кисио (JP)
ОКУДА Канити (JP) | | Патентообладатели: | ДОВА МАЙНИНГ КО.
ЛТД. (JP) |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Сущность изобретения: способ очистки галлия включает отделение примесей от сырья галлия, содержащего примеси, путем постепенной кристаллизации неочищенного галлия, помещенного в жидком виде внутрь емкости, при перемешивании так, что диаметр трубообразной границы кристаллизации постепенно продвигается от внутренней стенки емкости к центру емкости и при этом уменьшается, и отделяют жидкую фазу, остающуюся в центральной части ем
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента