|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ГЕТТЕРИРУЮЩЕЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН |  |
Номер публикации патента: 2224330 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/322 H01L021/304 | | Аналоги изобретения: | В.Д.ЛАБУНОВ и др. Современные методы геттерирования в технологии полупроводниковой электроники - Зарубежная электронная техника, № 11, 1983, с. 3-66. З.Ю. ГОТРА. Справочник по технологии микроэлектронных устройств. - Львов, Каменяр, 1986, с. 112. Прайс-лист ОАО "МПО по выпуску алмазного инструмента": Круги алмазные на эластичной основе (ТУ2-037-1.017-93). Диски алмазные эластичные типа D и DO. - M., январь 1999. JP 07-237135, 12.09.1995. RU 2118248 C1, 27.08.1998. US 5164323, 17.11.1992. JP 11-233519, 27.08.1999. JP 63-160341, 04.07.1988. RU 2035287 C1, 20.05.1995. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "Экспериментальный научно-исследовательский институт металлорежущих станков" | | Изобретатели: | ЭСТЕРЗОН М.А.
ЯКУНИН В.А.
САХАРОВА О.П. | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "Экспериментальный научно-исследовательский институт металлорежущих станков" |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике. Предложенный способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин включает формирование на нерабочей стороне пластины функционально являющегося наружным геттером, структурно нарушенного слоя путем образования микрорельефа в процессе снятия регламентируемого припуска посредством обработки шлифованием.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента