Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


РЕЖИМ СТИРАНИЯ СТРАНИЦЫ В МАТРИЦЕ ФЛЭШ - ПАМЯТИ

Номер публикации патента: 2222058

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2000125741/09 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G11C016/00   G11C011/40    
Аналоги изобретения: US 5278785 А, 11.01.1994. SU 1012704 А1, 27.05.1997. US 5365484 А, 15.11.1994. SU 1108915 А, 27.05.1997. 

Имя заявителя: ЭТМЕЛ КОРПОРЕЙШН (US) 
Изобретатели: ГУПТА Анил (US)
ШУМАНН Стивен Дж. (US) 
Патентообладатели: ЭТМЕЛ КОРПОРЕЙШН (US) 

Реферат


Изобретение относится к режиму стирания в матрице флэш-памяти. Техническим результатом является значительное уменьшение возбуждения не выбранных для стирания ячеек памяти при стирании выбранных ячеек памяти. Устройство матрицы флэш-памяти содержит множество транзисторов ячеек памяти, средство для подачи первого напряжения на управляющий затвор, по меньшей мере, одного транзистора стираемой ячейки упомянутой памяти, средство для подачи второго напряжения, более положительного, чем первое напряжени


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"