|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СУЛЬФИДА ЦИНКА |  |
Номер публикации патента: 2221906 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B025/00 C30B029/48 C23C016/30 C23C016/56 | | Аналоги изобретения: | US 6083561 А, 04.07.2000. US 6221482 В1, 24.04.2001. SU 1592415 А1, 15.09.1990. US 2001008622 А1, 19.07.2001. GB 36280 А, 15.10.1984. |
| Имя заявителя: | Институт химии высокочистых веществ РАН | | Изобретатели: | Девятых Г.Г.
Гаврищук Е.М.
Иконников В.Б.
Яшина Э.В.
Дианов Е.М. | | Патентообладатели: | Институт химии высокочистых веществ РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к области ИК-оптики и касается разработки способа получения монолитных образцов поликристаллического сульфида цинка, используемых в оптике видимого и ИК-излучения в качестве материала для конструкционных оптических элементов. Способ включает подачу паров сероводорода и цинка потоком аргона к нагретым до 600-700oС подложкам и осаждение на них сульфида цинка при общем давлении в системе 0,013-0,13 атм, эквимолярных расходах цинка и сероводорода 0,15-0,17 л/ч, аргона 1,8-2,2 л/
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента