Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ АЛМАЗНЫХ ПЛЕНОК ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ В ПЛАЗМЕ СВЧ - РАЗРЯДА И ПЛАЗМЕННЫЙ РЕАКТОР ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ

Номер публикации патента: 2215061

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2002125807/02 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C23C016/27   C23C016/503   H05H001/30    
Аналоги изобретения: US 55118759, 21.05.1996. ЕР 0520832 В1, 30.12.1992. RU 2099283 С1, 20.12.1997. RU 2105379 C1, 20.02.1998. RU 2171554 С1, 27.07.2001. 

Имя заявителя: Институт прикладной физики РАН 
Изобретатели: Вихарев А.Л.
Горбачёв А.М.
Литвак А.Г.
Быков Ю.В.
Денисов Г.Г.
Иванов О.А.
Колданов В.А. 
Патентообладатели: Институт прикладной физики РАН 

Реферат


Изобретение может быть использовано при получении поликристаллических алмазных пленок (пластин) для изготовления выходных окон мощных источников СВЧ-излучения. В реакционной камере активизируют газовую смесь водорода и углеводорода путем повышения концентрации электронов в плазме СВЧ-разряда. Образовавшиеся атомы углеродсодержащих радикалов осаждают на подложку, обеспечивая формирование поликристаллической алмазной пленки в результате поверхностных реакций.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"