Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОДЛОЖКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК И СЛОЕВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ

Номер публикации патента: 2209861

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2001115887/12 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B019/12   C30B025/18   C30B029/10   C30B029/38   C30B015/00    
Аналоги изобретения: VODAKOV Ju. A. et al. High rate Gan epitaxial growth by sublimation sandwich method. Journal of Crystal Growth. V. 183, 1998, р.10-14. Yang Q.K. et al. Growth and mosaic model of GaN growth directly on 6H-SiC (0001) by direct current plasma assisted molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth. V.192, 1988, p.28. US 4 664 946 А, 12.05.1987. JP 62 176 996 А, 03.08.1987. 

Имя заявителя: Айтхожин Сабир Абенович 
Изобретатели: Айтхожин С.А. 
Патентообладатели: Айтхожин Сабир Абенович 

Реферат


Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации. Сущность изобретения: предложен класс материалов - моносилициды переходных металлов IV-периода и твердые растворы на их основе - в качестве материала подложек для роста эпитаксиальных слоев нитридов галлия.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"