Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА ВЫСОКОГО КАЧЕСТВА

Номер публикации патента: 2209860

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2001134296/12 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/00   C30B017/00   C30B029/22   C30B029/30    
Аналоги изобретения: JP 63159284 А, 02.07.1988. JP 08295507 А, 12.11.1996. JP 60027680 А, 12.02.1985. JP 58208193 А, 03.12.1983. 

Имя заявителя: ДЖАПЭН САЙЕНС ЭНД ТЕКНОЛОДЖИ КОРПОРЕЙШН (JP) 
Изобретатели: САСАКИ Такамото (JP)
МОРИ Юсуке (JP)
ЙОШИМУРА Масаши (JP) 
Патентообладатели: ДЖАПЭН САЙЕНС ЭНД ТЕКНОЛОДЖИ КОРПОРЕЙШН (JP) 

Реферат


Изобретение может быть использовано для получения кристаллов CsLiB5O10 GdxY1-x Ca4O(BO3)3 (0


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"