|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПОСЛЕ НЕЙТРОННО - ТРАНСМУТАЦИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2208666 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B031/20 | | Аналоги изобретения: | Нейтронно-трансмутационное легирование полупроводников/Под ред. Дж. Миза, НФТТ, вып.11. - М.: Мир, 1982, с.145-168. SU 799523 А, 30.12.1981. DЕ 2753488 А, 07.06.1979. US 4348351 А, 07.09.1982. |
| Имя заявителя: | Государственное предприятие Ленинградская атомная электростанция им. В.И.Ленина | | Изобретатели: | Лебедев В.И.
Черников О.Г.
Горбунов Е.К.
Шмаков Л.В.
Козык М.П.
Григорьев К.В.
Фурсов А.Н. | | Патентообладатели: | Государственное предприятие Ленинградская атомная электростанция им. В.И.Ленина |
Реферат | |
Изобретение относится к области радиационных технологий, преимущественно к нейтронно-трансмутационному легированию (НТЛ) полупроводников, и может быть использовано для определения концентрации легирующей примеси (т.е. стабильного дочернего изотопа), образующейся в результате облучения полупроводникового материала тепловыми нейтронами в ядерном реакторе с последующим радиоактивным распадом материнского изотопа, который сопровождается испусканием гамма-квантов, в частности, для НТЛ-кремния.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента