|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЙ СТРУКТУРЫ НА КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ И СВЕТОИЗЛУЧАЮЩАЯ СТРУКТУРА |  |
Номер публикации патента: 2205468 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/20 H01S005/343 | | Аналоги изобретения: | A. E. Zhukov et al. Device characteristics of low-threshold quantum - dot Lasers, Selected topics in electronics and systems, v.16, Advances in semiconductor lasers and applications to optoelectronics. World Scientific, Singapore, 2000, p.263-292. US 6033972 А, 07.03.2000. US 5963571 А, 05.10.1999. ЕР 1113542 А1, 04.07.2001. RU 2176841 С1, 10.12.2001. RU 2147152 С1, 27.03.2000. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН | | Изобретатели: | Устинов В.М.
Жуков А.Е.
Малеев Н.А.
Ковш А.Р. | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН |
Реферат | |
Использование: при изготовлении из материалов А3В5 и соединений на их основе светоизлучающих структур на квантовых точках (КТ), в частности лазеров, работающих в инфракрасном диапазоне длин волн при комнатной температуре. Способ изготовления светоизлучающей структуры на КТ включает последовательное выращивание на подложке GaAs молекулярно-пучковой эпитаксией буферного слоя GaAs, нижнего эмиттерного слоя на основе соединения AlGaAs, волноводного слоя GaAs, содержащего активную область на основе КТ
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента