|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2203351 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B030/08 C30B013/28 H05B006/06 H05B006/30 | | Аналоги изобретения: | Оборудование космического производства /Под ред. акад. В.П. Бармина. - М.: Машиностроение, 1988, с. 69-72, 200-202. US 4292487 A, 29.09.1981. DE 2657966 A, 12.09.1980. DE 3045958 A, 08.07.1982. DE 2220519 A, 26.02.1981. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Конструкторское бюро общего машиностроения им. В.П. Бармина" | | Изобретатели: | Курицын С.А.
Муратов Г.Д.
Халикеев М.К. | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Конструкторское бюро общего машиностроения им. В.П. Бармина" |
Реферат | |
Использование: управление технологическими процессами получения полупроводниковых материалов для управления выращиванием монокристаллов в космических условиях без оператора. Сущность предложенного способа заключается в том, что в процессе нагрева образца периодически прерывают силовое питание нагревателя расплава для подачи на контур высокочастотного измерительного напряжения, формируют сигнал о достижении фазового перехода материала образца и корректируют показания термопары зоны расплава по раз
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента