Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ ИЗ РАСПЛАВА

Номер публикации патента: 2200775

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2000127355/12 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/00    
Аналоги изобретения: US 5972106 А, 26.10.1999. SU 141629 А, 23.02.1961. SU 786110 А1, 23.01.1993. GB 2084046 А, 07.04.1982. GB 2182262 А, 13.05.1987. US 5968264 А, 19.10.1999. ЕР 0425837 А1, 08.05.1991. 

Имя заявителя: Закрытое акционерное общество "Пиллар" (UA) 
Изобретатели: Берингов Сергей Борисович (UA)
Руденко Сергей Васильевич (UA)
Шульга Юрий Григорьевич (UA) 
Патентообладатели: Закрытое акционерное общество "Пиллар" (UA) 

Реферат


Изобретение предназначено для полупроводниковой промышленности. В кварцевый тигель загружают поликристаллический кремень. Устанавливают цилиндрический экран диаметром 235-240 мм соосно выращиваемому монокристаллу, нижний конец которого размещают над плоскостью расплава на высоте h, определяемой по формуле h=(А-D)/В, где D - заданный диаметр выращиваемого слитка монокристалла кремния, равный 76-150 мм; А - размерный коэффициент 210-240, В - коэффициент 4,6-5,0.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"