|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД |  |
Номер публикации патента: 2200358 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L033/00 | | Аналоги изобретения: | Отчет НИИПП по ОКР "Разработка базовых технологических процессов изготовления мощных излучающих диодов. - Томск, 1987, номер государственной регистрации Ф 25265. RU 2166222 С2, 27.04.2001. RU 2134000 С1, 27.07.1999. RU 2133068 С1, 10.07.1999. DE 3506995 А1, 28.08.1986. |
| Имя заявителя: | Хан Владимир Александрович | | Изобретатели: | Хан А.В.
Игнатьев М.Г.
Хан В.А.
Гущин С.М. | | Патентообладатели: | Хан Владимир Александрович |
Реферат | |
Изобретение относится к области оптоэлектроники, конкретно к мощным полупроводниковым излучающим диодам ИК и видимого диапазонов длин волн. Сущность изобретения состоит в том, что полупроводниковая структура излучающего диода, состоящая из отдельных мезоструктур, размещена на металлизированной диэлектрической пластине, выполненной из материала с высоким коэффициентом теплопроводности.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента