|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ЦИНКИТА |  |
Номер публикации патента: 2198250 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B007/10 C30B029/16 | | Аналоги изобретения: | ЛОБАЧЕВ А.Н. и др. Окись цинка. Выращивание и некоторые физические свойства. В сб.: Рост кристаллов из высокотемпературных водных растворов. - М.: Наука, 1977, с.158-177. US 3201209 А, 17.08.1965. ЛУКИНА М.М. и др. Кинетика кристаллизации цинкита в гидротермальных условиях. В сб.: Рост кристаллов, т.9. - М.: Наука, 1972, с.48-51. СROXALL D.F. et al. Hydrothermal growth and investigetion of Li- doped zinc oxide crystals of high purity and perfection "J. Cryst. Jrowth", 1974, 22, №2, 117-124. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья" | | Изобретатели: | Кортунова Е.В.
Шванский П.П.
Дороговин Б.А.
Николаева Н.Г.
Лютин В.И.
Хаджи В.Е. | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья" |
Реферат | |
Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов цинкита, которые являются хорошими пьезоэлектриками, обладающими высоким коэффициентом электромеханической связи, и могут быть использованы в пьезотехнике, акустооптоэлектронике и других областях науки и техники.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента