|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР С Р - N ПЕРЕХОДОМ (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2197046 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01S005/00 H01S005/32 | | Аналоги изобретения: | АЛФЕРОВ Ж.И. Инжекционные гетеролазеры. Сборник Полупроводниковые приборы и их применение. - М., вып.25, 1971, с.204-205. US 4504950 A, 12.03.1985. RU 1345684 A1, 20.08.1996. US 4327492 A, 04.05.1982. SU 986268 A1, 20.10.1995. SU 1414238 A1, 10.06.1997. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) | | Изобретатели: | Кожитов Л.В.
Вяткин А.Ф.
Кондратенко Т.Я.
Пархоменко Ю.Н. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) |
Реферат | |
Изобретение относится к области электронной техники. Предложен полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом, содержащий монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+ типа слой, монокристаллический полупроводниковый n типа слой, монокристаллический полупроводниковый р типа слой, металлический контакт n типа слоя и металлический контакт р типа слоя.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента