|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИОННОГО СИНТЕЗА В КРЕМНИИ ЗАХОРОНЕННОГО СЛОЯ ИЗОЛЯТОРА |  |
Номер публикации патента: 2193803 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/76 | | Аналоги изобретения: | K.J.Reeson et.al. Buried layers of silicon oxy-nitride fabricated using ion beam synthsis // Nucl. Instr. Meth. 1988, В 32, p.427-432. US 5918136 A, 29.01.1999. US 5930643 А, 27.07.1999. US 5468657 A, 21.11.1995. US 5589407 A, 31.12.1996. RU 2077751 C1, 20.04.1997. |
| Имя заявителя: | Институт микроэлектроники и информатики РАН | | Изобретатели: | Денисенко Ю.И.
Кривелевич С.А.
Маковийчук М.И.
Паршин Е.О. | | Патентообладатели: | Институт микроэлектроники и информатики РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к способам создания многослойных структур "кремний на изоляторе" с захороненным слоем изолятора. Способ включает имплантацию ионов кислорода в подложку кремния с достехиометрическими дозами с образованием в ней диоксида кремния, имплантацию ионов, содержащих другое вещество, с энергией, обеспечивающей близкое расположение или совпадение максимума профиля концентрации атомов этого вещества относительно имплантированного кислорода, термообработку, в результате которой атомы да
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента