|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ЗАТРАВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КВАРЦА (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2193078 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B007/10 C30B029/18 | | Аналоги изобретения: | RU 17043 U1, 10.03.2001. YUTAKA MIKAWA et al. New technique to decrease dislocations in synthetic quartz crystal. "Proceed of the 1999 IEEF International Fr. Contr. Sump. 1999, Micropolis Besanson. Frence, pp. 773-776. GB 827502 A, 03.02.1960. GB 827501 А, 24.11.1959. GB 640982 А, 02.08.1950. |
| Имя заявителя: | Абдрафиков Станислав Николаевич,Михалицын Александр Анатольевич | | Изобретатели: | Абдрафиков С.Н.
Михалицын А.А.
Михалицына О.В. | | Патентообладатели: | Абдрафиков Станислав Николаевич
Михалицын Александр Анатольевич |
Реферат | |
Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, в частности гидротермальным способом, и может использоваться при изготовлении затравочных пластин большого размера. Сущность изобретения: затравка в первом варианте выполнения содержит базовую затравку-основание ZY или XY среза, механически прикрепленные перпендикулярно к ее краям дополнительные элементы - боковые стороны, длина которых L связана с длиной l базовой затравки-основания соотношением L=l
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента