Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ

Номер публикации патента: 2191848

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 99126689/02 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C23C016/40   C23C016/24   H01L021/365    
Аналоги изобретения: US 3934060, 20.01.1976. RU 2119692 С1, 27.09.1998. RU 2040072 C1, 20.07.1995. RU 2040073 С1, 20.07.1995. US 3755890, 04.09.1973. 

Имя заявителя: Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" 
Изобретатели: Красников Г.Я.
Манжа Н.М.
Нечипоренко А.П.
Бурзин С.Б. 
Патентообладатели: Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" 

Реферат


Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных микросхем. Предлагаемый способ получения диоксида кремния включает формирование последнего при пониженном давлении с добавками хлорсодержащего вещества, улучшающего электрофизические параметры диоксида кремния.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"