|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СЛОЕВ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2191847 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C23C016/40 C23C016/24 H01L021/365 | | Аналоги изобретения: | US 3900597, 19.08.1975. RU 2136590 C1, 10.09.1999. RU 2134467 C1, 10.08.1999. US 5284640 A, 08.02.1994. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | | Изобретатели: | Манжа Н.М. | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных схем. Способ включает загрузку полупроводниковых пластин в реактор, подачу моносилана при температуре роста слоя аморфного кремния, осаждение слоя аморфного кремния, повышение температуры до температуры роста слоя поликристаллического кремния и осаждение его до заданной толщины, подачу в реактор инертного газа до атмосферного давления и выгрузку пластин.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента