|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ БЕЗДЕФЕКТНОЙ ЗОНЫ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2189408 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/20 C30B015/00 C30B029/06 | | Аналоги изобретения: | ГОСТ 19658-81. SU 971923 А, 07.11.1982. ВИЛЬКЕ К.-Т. Методы выращивания кристаллов. - Л.: Недра:, Ленинградское отделение, 1968, с.213-215. ЕР 0750057 А2, 27.12.1996. ЕР 0503814 А1, 16.09.1992. GAWORZEWSKI P. u.a. Zum Nachweis von versetzungsfreien Crochralski-Silizium-Einkristallen. "Krist und Techn.", 1977, 12. №8, 871-878. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "Пиллар" (UA) | | Изобретатели: | Берингов Сергей Борисович (UA)
Ушанкин Юрий Владимирович (UA)
Шульга Юрий Григорьевич (UA) | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "Пиллар" (UA) |
Реферат | |
Изобретение относится к области определения структуры кристалла кремния и может быть использовано при определении бездефектной зоны монокристалла кремния при выращивании кристаллов по методу Чохральского. Сущность изобретения способа заключается в определении параметра выращенного кристалла с нарушенными гранями роста монокристалла, в котором измеряют длину цилиндрической части выращенного кристалла от ее начала до площади исчезновения или прерывания грани роста монокристалла, при этом длину безд
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента