Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДИАМЕТРА МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ, ВЫРАЩИВАЕМОГО ИЗ РАСПЛАВА

Номер публикации патента: 2189406

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2000127356/12 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/00    
Аналоги изобретения: SU 1527331 А, 07.12.1989. RU 2128250 С1, 27.03.1999. GB 2127712 А, 18.04.1984. US 4290835 А, 22.09.1981. US 5240684 А, 31.08.1993. US 5653799 А, 05.08.1997. ЕР 0134680 А2, 20.03.1985. JP 11217291 А, 10.08.1999. 

Имя заявителя: Закрытое акционерное общество "Пиллар" (UA) 
Изобретатели: Берингов Сергей Борисович (UA)
Куликовский Эдуард Владимирович (UA)
Самохвалов Владимир Александрович (UA) 
Патентообладатели: Закрытое акционерное общество "Пиллар" (UA) 

Реферат


Изобретение предназначено для получения полупроводников. Оптическую ось датчика печи располагают под углом 5-20o к плоскости, проходящей через ось выращиваемого монокристалла. Выращивают монокристалл сравнения. Положение излучения от мениска столбика расплава в подкристальной области затравки Уо = 11,5 мм.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"