|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ ВЫРАЩЕННЫХ СЛИТКОВ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2186887 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B033/00 C30B029/06 | | Аналоги изобретения: | НАШЕЛЬСКИЙ А.Я. Технология специальных материалов электронной техники, 1993, с.241-242. RU 2036985 С1, 09.06.1995. КАРБАНЬ В.И. и др. Обработка полупроводниковых материалов. - Киев: Наукова Думка, 1982, с.184-188. ЕР 0359591 А2, 21.03.1990. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "Пиллар" (UA) | | Изобретатели: | Берингов Сергей Борисович (UA)
Ушанкин Юрий Владимирович (UA)
Шульга Юрий Григорьевич (UA) | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "Пиллар" (UA) |
Реферат | |
Изобретение относится к способам обработки выращенных слитков монокристалла кремния и может быть использовано при изготовлении монокристаллических кремниевых пластин солнечных элементов фотовольтаических модулей. Задачей изобретения является обеспечение улучшения качества и снижения брака слитков, снижение безвозвратных потерь кремния.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента