|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТРУБЧАТОГО КРИСТАЛЛА КАРБИДА КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2182607 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B023/00 C30B029/36 C30B029/66 | | Аналоги изобретения: | JP 09157091 А, 17.06.1997. SU 1663060 А1, 15.07.1991. DE 3915053 А1, 15.11.1990. SP 0801155 А1, 15.10.1997. |
| Имя заявителя: | Карачинов Владимир Александрович | | Изобретатели: | Карачинов В.А. | | Патентообладатели: | Карачинов Владимир Александрович |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии электронного приборостроения, а именно к способам размерного профилирования кристаллов карбида кремния, и может быть использовано в микросистемной технике, оптоэлектронике и т.п. Сущность изобретения: предложен способ получения трубчатого кристалла карбида кремния, включающий сублимацию карбида кремния вдоль профилирующего стержня в ростовую полость, перекрытую затравочным монокристаллом, причем на начальной стадии процесса сублимацию осуществляют в полость, образованную стенкой ростовой полости и поверхностью конического наконечника профилирующего стержня, способного совершать движение относительно монокристаллической затравки, в том числе в условиях электрического поля. Техническим результатом предлагаемого изобретения является возможность получения: трубчатых монокристаллов с низкой плотностью дислокаций (ND<104 см-2); трубчатых монокристаллов с любой формой поперечного сечения внутренней полости; трубчатых монокристаллов с эксцентричной полостью; затравки трубчатой формы; трубчатых монокристаллов с внутренней винтовой нарезкой; трубчатых гетерополитипных структур, в частности политипа 4Н на затравочном кристалле 6Н-SiC. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента