|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА |  |
Номер публикации патента: 2182606 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B011/00 C30B013/04 C30B030/08 | | Аналоги изобретения: | RU 2091515 С1, 27.09.1997. JP 04202082 А, 22.07.1992. JP 02006380 А, 10.01.1990. JP 2000026191 А, 25.01.2000. JP 62012690 А, 21.01.1987. ЗЕМСКОВ В.С. и др. Теплообмен между стенками импульса и расплавом при направленной кристаллизации в условиях невесомости. Гидромеханика и тепломассообмен в невесомости. - Новосибирск, 1988, с.153-161. РЖ "Физика", 1989, реф. № 5Е 622. GATOS HARRY C, "Semiconductor crystal growth and segregation problems on earth and in space "Mater. Process. Recluced Gravity Environ. Space. Proc. Mater. Res. Soc. Annu. Meet. Boston. Mass., Nov., 1981. New York e.a. 1982, 355-371, РЖ "Металлургия", 1984, реф. № 1 ГУ63. |
| Имя заявителя: | Институт минералогии и петрографии СО РАН | | Изобретатели: | Кох А.Е.
Мокрушников П.В.
Попов В.Н. | | Патентообладатели: | Институт минералогии и петрографии СО РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов методом направленной кристаллизации в замкнутом конвейере, в частности к выращиванию монокристаллов в условиях микрогравитации путем управления конвективными потоками в расплаве. Сущность изобретения: на наружной стенке замкнутого контейнера создают нестационарное неоднородное тепловое поле, отвечающее условию: T(ϕ,t,z) = δTcos(ωt+nz+kϕ)+Az, где Т(К) - температура, отсчитываемая от средней Т0(К), δТ(К) - амплитуда тепловой волны, t(с) - время процесса, ϕ(рад), z(м) - полярные координаты, ω(рад•с-1) - циклическая частота тепловой волны, n(рад•м-1), k - волновые числа, А(К•м-1) - осевой градиент температуры, используя многосекционные нагревательные элементы, расположенные наклонно относительно продольной оси контейнера. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента