Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ

Номер публикации патента: 2182194

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2001105491/12 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B009/12   C30B029/22   H01L039/24    
Аналоги изобретения: АЛЕКСАНДРОВ О.В. и др. Монокристаллы высокотемпературной фазы Вi<SB POS="POST">2</SB>Sr<SB POS="POST">2</SB>Са<SB POS="POST">2</SB>Сu<SB POS="POST">3</SB>О<SB POS="POST">10</SB>±δ. СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ: физика, химия, техника, т. 5, № 12, 1992, с.2333-2337. RU 1723847 Al, 28.02.1994. RU 2090665 C1, 20.09.1997. JP 07232997 А, 05.09.1995. 

Имя заявителя: Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН 
Изобретатели: Горина Ю.И.
Калюжная Г.А.
Сентюрина Н.Н. 
Патентообладатели: Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН 

Реферат


Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники. Сущность изобретения: смешивают предварительно синтезированную сверхпроводниковую шихту заданного фазового состава и газообразующую добавку, необходимую для формирования парогазовой каверны в растворе-расплаве. Затем смесь материала заданного фазового состава в количестве не менее 20 вес.%, газообразующей добавки в количестве не менее 20 вес.% и флюса загружают в ростовой тигель, нагревают до 800-875oС, выдерживают в течение нескольких часов, осуществляют выращивание монокристаллов в каверне при вертикальном градиенте в растворе-расплаве 1-3oС/см и температуре 795-860oС, после чего проводят охлаждение в 2 этапа. Получены чистые, обладающие сверхпроводимостью после выращивания, нелегированные зеркально-гладкие монокристаллы с линейными размерами до 5 мм, свободно выросшие в парогазовых кавернах раствора-расплава. 2 з.п. ф-лы.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"