|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| АНИЗОТРОПНАЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКАЯ СТАЛЬ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2181786 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C22C038/04 C21D008/12 | | Аналоги изобретения: | RU 2142020 C1, 27.11.1999. SU 1482962 A1, 30.05.1989. SU 1652362 А1, 30.05.1991. RU 2082771 С1, 27.06.1997. RU 2098493 С1, 10.12.1997. RU 2126452 C1, 20.02.1999. RU 2137849 С1, 20.09.1999. WO 95/13401 А1, 18.05.1995. US 5597424 А, 28.01.1997. US 6068708 А, 30.05.2000. US 5711825 А, 27.01.1998. |
| Имя заявителя: | Цырлин Михаил Борисович | | Изобретатели: | Цырлин М.Б.
Шевелев В.В.
Кавтрев А.В.
Лобанов М.Л.
Каган В.Г.
Мельников М.Б. | | Патентообладатели: | Цырлин Михаил Борисович
Шевелев Валерий Валентинович
Кавтрев Алексей Владиславович
Лобанов Михаил Львович
Каган Владимир Генрихович
Мельников Михаил Борисович |
Реферат | |
Изобретение относится к металлургии, а именно к составу и способу получения анизотропной электротехнической стали. Предложена анизотропная электротехническая сталь, содержащая компоненты в следующем соотношении, мас.%: кремний 2,6-3,6, медь 0,4-0,6, марганец от более 0,3 до 0,5, железо и неизбежные примеси - остальное. Способ производства анизотропной электротехнической стали включает выплавку стали, непрерывную разливку, горячую прокатку, двухстадийную или одностадийную холодную прокатку, обезуглероживающий, высокотемпературный и выпрямляющий отжиги. Причем при выплавке стали содержание углерода корректируют в зависимости от содержания марганца в пределах 0,30-0,50 мас. % согласно выражению: [С]=(0,095-0,15[Мn])±0,005, где [С] и [Mn] - содержание марганца и углерода соответственно, мас.%. Техническим результатом изобретения является улучшение качества грунтового слоя, стабилизация и улучшение абсолютного уровня магнитных свойств анизотропной стали, производимой по нитридному варианту технологии. 2 с. и 1 з.п. ф-лы, 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента