Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МИКРОИГЛА В ИНТЕГРАЛЬНОМ ИСПОЛНЕНИИ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2179458

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 99111533/14 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: A61M005/32    
Аналоги изобретения: US 4966593 А, 30.10.1990. EP 0438368 А, 24.07.1991. US 4973316 А, 27.11.1990. SU 1714874 A3, 07.01.1992. 

Имя заявителя: Институт физики полупроводников СО РАН 
Изобретатели: Принц А.В.
Селезнев В.А.
Принц В.Я. 
Патентообладатели: Институт физики полупроводников СО РАН
Принц Александр Викторович 

Реферат


Изобретение относится к медицине и биотехнологии, в частности к устройствам для осуществления инъекций, а именно к микроиглам, создаваемым технологиями, совместимыми с технологиями изготовления интегральных схем. Микроигла в интегральном исполнении содержит капиллярный канал и устройство для управления и/или анализа жидкости в капиллярном канале. Игла выполнена в виде трубки-свитка из напряженной гетероструктуры, состоящей, по меньшей мере, из двух монокристаллических слоев, причем слой, расположенный ближе к оси трубки-свитка, сформирован из материала с меньшей постоянной кристаллической решетки. Способ изготовления микроиглы в интегральном исполнении включает формирование на подложке многослойной структуры, изготовление из нее микроиглы с капиллярным каналом. Для изготовления микроиглы многослойную структуру формируют, по меньшей мере, из двух монокристаллических слоев, образующих напряженную гетероструктуру, и из жертвенного слоя, расположенного между данной гетероструктурой и подложкой. На поверхности напряженной гетероструктуры формируют дополнительный наружный слой из растворимого в травителе материала. Направленное боковое травление осуществляют, накрывая часть напряженной гетероструктуры пластиной, смоченной в буферном растворе. Технический результат заключается в обеспечении строго воспроизводимых геометрических параметров, высокой механической прочности. 2 с. и 2 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"