Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ЗАЩИТНОЕ КОЛЬЦО ДЛЯ СНИЖЕНИЯ ТЕМНОВОГО ТОКА

Номер публикации патента: 2178600

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2000111514/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/062   H01L027/14    
Аналоги изобретения: US 4691435 A, 08.09.1987. US 4261095 A, 14.04.1981. JP 4082277 A, 16.03.1992. RU 2071146 C1, 27.12.1996. RU 2024112 C1, 30.11.1994. 

Имя заявителя: ИНТЕЛ КОРПОРЕЙШН (US) 
Изобретатели: КЛАРК Лоуренс Т. (US)
БЕЙЛИ Марк А. (US) 
Патентообладатели: ИНТЕЛ КОРПОРЕЙШН (US) 
Номер конвенционной заявки: 08/941,800 
Страна приоритета: US 
Патентный поверенный: Егорова Галина Борисовна 

Реферат


Изобретение относится к полупроводниковым структурам для обнаружения излучения видимого диапазона. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности за счет снижения темнового тока на граничной поверхности между обедненным слоем и прозрачной изоляционной областью. Сущность: фотодиод (200) включает изолирующую область (202), которая пропускает через себя свет. Фотодиод (200) также включает область подложки (204) с проводимостью первого типа и область кармана (206) с проводимостью второго типа. Карман (206) образован в подложке (204) ниже изолирующей области (202). Карман (206) отграничивается от подложки (204) первой поверхностью (216). Фотодиод (200) далее включает сильнолегированную область (220) с проводимостью второго типа. Сильнолегированная область (220) образована в изолирующей области (202) в первом положении (222). Первая поверхность (216) встречается с сильнолегированной областью (220) по существу, в первом положении (222). 6 с. и 16 з. п. ф-лы, 9 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"