Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ В ВИДЕ СТЕРЖНЕЙ И ТРУБОК ИЗ РАСПЛАВА

Номер публикации патента: 2178469

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2000103861/12 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/34   C30B029/66    
Аналоги изобретения: SU 1306173 A1, 07.12.1989. SU 1382052 А1, 07.01.1993, JP 06128078 А, 10.05.1994. JP 56-51159 А, 12.03.1981. 

Имя заявителя: Институт физики твердого тела РАН 
Изобретатели: Курлов В.Н.
Беленко С.В. 
Патентообладатели: Институт физики твердого тела РАН 

Реферат


Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов вытягиванием их из расплава с вращением с применением формообразователей и может быть использовано для получения монокристаллических труб и стержней с периодически изменяющимся содержанием примеси по длине кристалла. Сущность изобретения: устройство включает тигель 1 с разделительной перегородкой 2, разделяющей расплавы 3 и 4 с различным содержанием примесей, дополнительный формообразователь 5, закрепленный в одном из резервуаров тигля (с расплавом 3), экран 6 с отверстием 7 и закрепленный на экране формообразователь 8. Устройство позволяет получать периодические структуры с меняющимся соотношением высот слоев различного состава в процессе выращивания кристалла за счет вертикального и горизонтального перемещения в плоскости экрана дополнительного формообразователя с помощью поднятия, опускания или вращения тигля. В выращиваемом кристалле могут быть получены переменные периодические структуры, соотношение высоты слоев различного состава аi/bi в которых меняется в пределах (π-a)/(π+a) ≤ ai/bi≤ (π+a)/(π-a). 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"