|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2177513 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/00 C30B015/20 C30B029/06 | | Аналоги изобретения: | JP 05155682 A, 22.06.1993. RU 2077615 C1, 20.04.1997. JP 54150377 A, 26.11.1979. ДАВЫДЧЕНКО А.Г. и др. Изменение формы границы кристалл-расплав в процессе выращивания кристаллов методом Чохральского. "6 Международная конференция по росту кристаллов. - Москва, 1980, Расширенные тезисы, т. 2". - М., 1980, 221-222. KURODA EKYO et al. The effect of temperature oscillation at the growth interface on crystal perfection. "J. Cryst. Grow th", 1984, 68, № 2, 613-623. KURODA EKYO et al. Jnfluence of growth conditions on melt interface temperature oscillations in silicon Crochralski growth. "J. Cryst. Growth", 1983, 63, № 2, 276-784. |
| Имя заявителя: | "Корпорация "Эконика",Пульнер Эрунст Оскарович | | Изобретатели: | Пульнер Э.О.
Илиопуло Т.Э. | | Патентообладатели: | "Корпорация "Эконика"
Пульнер Эрунст Оскарович |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, получаемого для этих целей методом Чохральского. Сущность изобретения: способ выращивания монокристаллов кремния осуществляют методом Чохральского с вращением тигля 0,2-2,0 об/мин и с вращением кристалла ему навстречу со скоростью 0,2-20 об/мин, и со стрелой прогиба фронта кристаллизации в сторону затравки не более 0,2.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента