Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Номер публикации патента: 2177513

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2000123834/12 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/00   C30B015/20   C30B029/06    
Аналоги изобретения: JP 05155682 A, 22.06.1993. RU 2077615 C1, 20.04.1997. JP 54150377 A, 26.11.1979. ДАВЫДЧЕНКО А.Г. и др. Изменение формы границы кристалл-расплав в процессе выращивания кристаллов методом Чохральского. "6 Международная конференция по росту кристаллов. - Москва, 1980, Расширенные тезисы, т. 2". - М., 1980, 221-222. KURODA EKYO et al. The effect of temperature oscillation at the growth interface on crystal perfection. "J. Cryst. Grow th", 1984, 68, № 2, 613-623. KURODA EKYO et al. Jnfluence of growth conditions on melt interface temperature oscillations in silicon Crochralski growth. "J. Cryst. Growth", 1983, 63, № 2, 276-784. 

Имя заявителя: "Корпорация "Эконика",Пульнер Эрунст Оскарович 
Изобретатели: Пульнер Э.О.
Илиопуло Т.Э. 
Патентообладатели: "Корпорация "Эконика"
Пульнер Эрунст Оскарович 

Реферат


Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, получаемого для этих целей методом Чохральского. Сущность изобретения: способ выращивания монокристаллов кремния осуществляют методом Чохральского с вращением тигля 0,2-2,0 об/мин и с вращением кристалла ему навстречу со скоростью 0,2-20 об/мин, и со стрелой прогиба фронта кристаллизации в сторону затравки не более 0,2.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"