Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОЧИСТКИ ГАЗА

Номер публикации патента: 2176561

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2000131007/12 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: B03C003/08    
Аналоги изобретения: RU 2098191 C1, 10.12.1997. SU 956019 A, 07.09.1982. RU 2121881 C1, 20.11.1998. RU 2132238 C1, 27.06.1999. US 4734105 A, 29.03.1988. US 3739554 A, 19.06.1973. US 3616606 A, 02.11.1971. 

Имя заявителя: Чистяков Юрий Львович 
Изобретатели: Чистяков Ю.Л. 
Патентообладатели: Чистяков Юрий Львович 

Реферат


Повышение эффективности очистки газа от диэлектрической примеси достигается тем, что обработку потока газа осуществляют между плоскопараллельными осадительными электродами, покрытыми слоем однородного диэлектрика и перфорированными по рабочей поверхности, а межэлектродный промежуток заполняется униполярным объемным зарядом, извлекаемым из зоны плазмы барьерного разряда. Плазму барьерного разряда возбуждают в виде плазменных столбов над перфорационными отверстиями одного из осадительных электродов. Устройство содержит дополнительные пластинчатые электроды, один из которых выполняют в виде металлической пластины с иглами, острые кромки которых находятся над центрами перфорационных отверстий осадительного электрода на равном их удалении от поверхности осадительного электрода, а другой дополнительный электрод, покрытый слоем однородного диэлектрика, устанавливают на допробивном расстоянии от поверхности противоположного осадительного электрода. Повышенная температура в плазменных столбах, сформированных на острых кромках игл одного из дополнительных электродов, препятствует образованию молекул озона и увеличивает концентрацию заряженных частиц в плазме разряда, а расположение столбов плазмы разряда над перфорационными отверстиями осадительного электрода обеспечивает совпадение направлений движения носителей заряда с направлением силовых линий электрического поля между осадительными электродами. Это способствует большему извлечению носителей заряда в межэлектродный промежуток в течение полуволны напряжения, более высокой степени зарядки дисперсной диэлектрической примеси и лучшему их осаждению на осадительных электродах в соответствующие промежутки времени. 2 с. и 3 з.п. ф-лы, 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"