Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МНОГОЭЛЕМЕНТНОЕ ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО С ДЛИННОВОЛНОВОЙ ГРАНИЦЕЙ ПОГЛОЩЕНИЯ ДО 7 МКМ

Номер публикации патента: 2175794

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2000109106/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L027/14    
Аналоги изобретения: RU 2065228 C1, 10.08.1996. RU 2080691 C1, 27.05.1997. Зарубежная электронная техника, 1986, № 5 (300), с.2. JP 58107673, 27.06.1983. 

Имя заявителя: Институт физики полупроводников СО РАН 
Изобретатели: Двуреченский А.В.
Ковчавцев А.П.
Курышев Г.Л.
Рязанцев И.А. 
Патентообладатели: Институт физики полупроводников СО РАН 

Реферат


Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к производству фотоприемных модулей, и может быть использовано в приборах ночного видения, тепловизорах, газоанализаторах. Техническим результатом изобретения является достижение межэлементной развязки с коэффициентом развязки более 95%. Сущность: устройство содержит подложку из высокоомного кремния р-типа проводимости, со стороны засветки - электрод и контактный слой р++, с другой стороны - мезаструктуры со слоем фотоактивного поглощения р+, контактный слой р++ и алюминиевый электрод, причем со стороны засветки на контактный слой р++ в качестве электрода напылен тонкий слой прозрачного окисла - окиси индия и олова толщиной 0,2-0,5 мкм, концентрация примеси в контактных слоях р++ составляет Np~1•1019 см-3, между контактным слоем р++ со стороны засветки и подложкой р расположен легированный слой р+ с Np~1017-1018 см-3 толщиной 3-5 мкм, образующий с подложкой р и контактным слоем р++ потенциальный барьер (р-р+-р++), позволяющий блокировать темновую проводимость, с другой стороны на подложке выполненные мезаструктуры и тонкий слой фотоактивного поглощения р+ с концентрацией легирующей примеси Np~(5-7)•1019 см-3 имеют такую глубину и толщину соответственно, что слой фотоактивного поглощения р+ полностью изолирован мезаструктурой и его концентрация легирующей примеси спадает до значения концентрации примеси в подложке на глубине, меньшей, чем глубина мезаструктуры. Алюминиевый электрод нанесен на всю поверхность мезаструктуры. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"