|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ - НА - ИЗОЛЯТОРЕ |  |
Номер публикации патента: 2173914 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/76 | | Аналоги изобретения: | A. Yamada et all. Extended Abstract 201, 5th International Workshop on Future Electron Devices-3D Integration, Miyagi-Zao (1988). RU 2071145 C1, 27.12.1996. RU 2139595 C1, 10.10.1999. WO 95/01650 A1, 12.01.1995. US 5286670 A, 15.02.1994. EP 504714 A3, 23.09.1992. |
| Имя заявителя: | Государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | | Изобретатели: | Русак Т.Ф.
Енишерлова-Вельяшева К.Л.
Концевой Ю.А. | | Патентообладатели: | Государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой технике. Сущность изобретения: способ получения КНИ-структур с тонким слоем кремния, лежащим на диэлектрике, включает механическую обработку и химико-механическую полировку пластин кремния, формирование по крайней мере на одной пластине слоя диэлектрика, отмывку с формированием гидрофильных поверхностей, введение соединяемых поверхностей пластин в контакт с расположением диэлектрического слоя внутри, термокомпрессию соединенных пластин и последующее утонение механической обработкой и химико-механической полировкой по крайней мере одной из соединенных пластин. После формирования слоя диэлектрика проводят химико-механическую полировку его поверхности. Введение в контакт осуществляют путем прокатывания соединяемых пластин, упруго прижимая их друг к другу. Утонение по крайней мере одной из пластин, начиная с толщины 10-25 мкм до требуемой толщины проводят химическим травлением в водном 30-35%-ном растворе щелочи при локальном нагреве пластины от 20 до 60°С на участках с большей толщиной слоя кремния для выравнивания толщины слоя за счет увеличения скорости травления в области нагрева, причем дополнительную химико-механическую полировку поверхностей диэлектрика проводят в течение 5-10 мин с постепенным понижением рН полировального состава с 9,8-10 до 7,8-8 и прекращением подачи абразивной составляющей состава на заключительном этапе в течение 0,5-1 мин. Техническим результатом изобретения является упрощение способа получения тонких слоев кремния на диэлектрике, повышение качества структуры, минимизация количества пузырей и улучшение качества обработки поверхности тонкого рабочего слоя кремния, лежащего на диэлектрике. 4 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента