Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК

Номер публикации патента: 2172537

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2000118074/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/322    
Аналоги изобретения: RU 2120682 С1, 20.10.1998. RU 2098887 C1, 10.12.1997. RU 2137253 C1, 10.09.1999. ЛАБУНОВ В.А. и др. Пористый кремний в полупроводниковой электронике. - ЗЭТ, 1978, № 15, с.3-48. WO 99/26291 A2, 27.05.1999. 

Имя заявителя: Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 
Изобретатели: Левшунова В.Л.
Перевощиков В.А.
Скупов В.Д.
Чигиринский Ю.И. 
Патентообладатели: Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 

Реферат


Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления пластин-подложек из монокристаллического кремния, предназначенных для создания дискретных приборов и интегральных микросхем. Техническим результатом заявляемого способа является повышение структурного совершенства кремниевых подложек за счет увеличения эффективности геттерирования и снижения в них концентрации ростовых и технологических микродефектов. В способе обработки кремниевых подложек, включающем электрохимическое формирование слоя пористого кремния, облучение его ионами и последующее удаление этого слоя, перед ионным облучением подложки упруго деформируют изгибом так, чтобы их рабочая сторона была вогнутой, а последующее ионное облучение и удаление пористого кремния осуществляют одновременно путем ионно-плазменного травления. 1 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"